COD超标怎么办？常见原因及解决方案

当前半导体行业COD废水处理存在诸多共性问题：

1.水质波动冲击大，不同工序排水的COD浓度差异较大，易对处理系统造成冲击，导致出水COD不稳定，增加了排放超标的风险。

2.常规生化、混凝处理工艺对光刻胶、有机溶剂等特征污染物去除效果有限。残留有机物易造成膜系统堵塞，制约废水回用率提升。

3.传统芬顿工艺药剂投加量大，推高了整体的吨水处理成本。

针对上述行业痛点，本文将介绍一款针对性研发的NC-953 COD专用处理药剂，分析其技术特点与应用价值，为相关企业提供处理方案参考。

半导体含COD废水主要来自晶圆制造的光刻、化学机械抛光、湿法清洗等核心工序，以光刻胶、显影液、有机溶剂、有机添加剂为主要污染物。

NC-953处理剂可针对半导体行业高浓度、难降解COD废水的处理药剂，配合双氧水使用可实现催化氧化、絮凝沉降、有机断链三重功效，可有效适配半导体行业复杂的水质工况，其核心应用价值如下：

1.高效降解难降解有机物

该药剂可通过催化氧化与协同降解的双重作用，断裂难降解有机物的分子链，对光刻、清洗工序废水的 COD 去除效果显著，COD 去除率可达80%以上，处理效果优于传统芬顿工艺，可保障出水水质稳定，降低排放超标风险。

2.无二次污染，保障后续工艺

该药剂性质温和无腐蚀性，不会对后续生化、膜分离等深度处理工艺造成干扰，处理后的出水可稳定达标排放，也可进入后续工序进行回用，降低运维成本。

实际应用案例分析：

某半导体晶圆厂原有废水处理系统采用传统芬顿工艺处理COD废水，存在无法满足后道工序进水要求、处置成本高的等问题。

该厂引入NC-953 + 双氧水组合工艺替代传统芬顿工艺后，出水COD稳定在550mg/L 左右，远低于1000mg/L 的控制要求，且可稳定进入后道工序。

常见问答：

1. 现场如何使用 NC-953？

答：批次处理按计算量直接投加搅拌反应；连续处理通过粉体喂料机精准控制单位时间投加量，投加后反应60-120min 即可进入后续工序。

2. 使用注意事项及对后续工艺影响？

答：药剂无腐蚀性，不干扰后续生化、膜分离等深度处理，处理后出水可安全回用或排放，降低设备堵塞损耗。

3.双氧水储运及采购会有限制，是否有替代方案

答：NC-953与双氧水配合使用效果更佳，若考虑双氧水的储运限制，可用我司KO-945代替。